2026年1月17日，從中核集團(tuán)獲悉，由中核集團(tuán)中國(guó)原子能科學(xué)研究院自主研制的我國(guó)首臺(tái)串列型高能氫離子注入機(jī)（POWER-750H）已于近日成功出束，其核心指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。這一重大技術(shù)突破標(biāo)志著我國(guó)已全面掌握了串列型高能氫離子注入機(jī)的全鏈路研發(fā)技術(shù)，攻克了功率半導(dǎo)體制造鏈上的一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。離子注入機(jī)與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備并稱(chēng)為芯片制造的“四大核心裝備”，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)高能氫離子注入機(jī)完全依賴(lài)國(guó)外進(jìn)口，技術(shù)壁壘高，是制約戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)升級(jí)的瓶頸之一。中核集團(tuán)原子能院依托在核物理加速器領(lǐng)域數(shù)十年的技術(shù)積累，以串列加速器技術(shù)為核心手段，成功破解了一系列技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)了從底層原理到整機(jī)集成的正向設(shè)計(jì)能力，打破了國(guó)外企業(yè)的長(zhǎng)期技術(shù)壟斷。該設(shè)備的成功研制是核技術(shù)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度融合的重要成果，將有力提升我國(guó)在功率半導(dǎo)體等關(guān)鍵領(lǐng)域的自主保障能力，并為助力“雙碳”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)、加快形成新質(zhì)生產(chǎn)力提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。